6ES7 214-1AD23-0XB0

6ES7 214-1BD23-0XB0

電源電壓

24 V DC

√

允許范圍，下限 (DC)

20.4 V

允許范圍，上限 (DC)

28.8 V

120 V AC

√

230 V AC

√

電源頻率

63 Hz

負(fù)載電壓 L+

24 V

24 V

20.4 V

5 V

28.8 V

30 V

負(fù)載電壓L1

100 V; 100 至 230 V AC

5 V

250 V

47 Hz

63 Hz

輸入電流

突波電流**大

28.8 V 時(shí) 12 A

264 V 時(shí) 20 A

從電源L+ 供電**大

700 mA; 110 - 700 mA,擴(kuò)展模塊輸出電流(5 VDC) 660 mA

從電源L1供電**大

200 mA; 30 - 100 mA (240 V); 60 - 200 mA (120 V); 擴(kuò)展模塊輸出電流 (5 VDC) 600 mA

編碼器電源

24 V 編碼器電源

√；允許范圍：15.4 至 28.8 V

√；允許范圍：20.4 至 28.8 V

√; 280 mA 時(shí)電子式

√; 280 mA 時(shí)電子式

280 mA

280 mA

備用電池

電池運(yùn)行

100 小時(shí)；（40 ℃ 時(shí)**短 70 小時(shí)）；帶有可選電池模塊時(shí)，200 天（典型值）

100 小時(shí)；（40 ℃ 時(shí)**短 70 小時(shí)）；帶有可選電池模塊時(shí)，200 天（典型值）

存儲(chǔ)器

存儲(chǔ)模塊數(shù)量(選件)

1，可插入存儲(chǔ)模塊，內(nèi)容存儲(chǔ)在內(nèi)置的EEPROM中，此外還可以存儲(chǔ)配方、數(shù)據(jù)記錄和其他文件。

1，可插入存儲(chǔ)模塊，內(nèi)容存儲(chǔ)在內(nèi)置的EEPROM中，此外還可以存儲(chǔ)配方、數(shù)據(jù)記錄和其他文件。

數(shù)據(jù)和程序存儲(chǔ)器

8 kbyte

8 kbyte

12 KB；8 KB 用于運(yùn)行時(shí)編輯

12 KB；8 KB 用于運(yùn)行時(shí)編輯

后備

√；程序：集成 EEPROM 上的整個(gè)程序免維護(hù)，可通過(guò) CPU 編程；數(shù)據(jù)：集成 EEPROM 上從編程器/PC 加載的整個(gè) DB 1 免維護(hù)，RAM 中 DB 1 的電流值，通過(guò)高性能電容器，非易失性內(nèi)存位、計(jì)時(shí)器、計(jì)數(shù)器等免維護(hù)；可選電池，用于長(zhǎng)期緩沖

√；程序：集成 EEPROM 上的整個(gè)程序免維護(hù)，可通過(guò) CPU 編程；數(shù)據(jù)：集成 EEPROM 上從編程器/PC 加載的整個(gè) DB 1 免維護(hù)，RAM 中 DB 1 的電流值，通過(guò)高性能電容器，非易失性內(nèi)存位、計(jì)時(shí)器、計(jì)數(shù)器等免維護(hù)；可選電池，用于長(zhǎng)期緩沖

CPU 處理時(shí)間

位指令**大

0.22 μs

0.22 μs