原子層沉積 (Atomic Layer Deposition) 是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。隨著芯片節(jié)點尺寸的不斷縮小，傳統(tǒng)沉積技術已達到其極限，在納米級上沉積超薄層需要原子層沉積 (ALD) 技術，該技術可使材料一次沉積一個原子層。FITOK ALD 系列原子層沉積隔膜閥可應用于原子層沉積工藝，在半導體芯片制造的沉積工藝中輸送精確劑量的氣體，以實現(xiàn)先進技術所需的均勻氣體沉積。